图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

NSV60201LT1G 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT

内部编号

277-NSV60201LT1G

生产厂商

ON Semiconductor

onsemi

#1

数量:3170
1+¥4.5129
10+¥3.5419
100+¥2.2838
1000+¥1.8257
3000+¥1.5385
24000+¥1.4222
45000+¥1.3675
最小起订量:1
美国加州
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#2

数量:3052
1+¥4.7498
10+¥4.1631
100+¥3.1914
500+¥2.5231
1000+¥2.0185
最小起订量:1
美国费城
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#3

数量:3000
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

NSV60201LT1G产品详细规格

规格书 NSV60201LT1G datasheet 规格书
封装 Reel
晶体管极性 NPN
发射极 - 基极电压VEBO 8 V
最大功率耗散 460 mW
直流集电极/增益hfe最小值 100 mA
集电极 - 发射极最大电压VCEO 60 V
安装风格 SMD/SMT
封装/外壳 SOT-23
连续集电极电流 2 A
电流 - 集电极( Ic)(最大) 2A
晶体管类型 NPN
安装类型 *
频率 - 转换 100MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 140mV @ 200mA, 2A
电流 - 集电极截止(最大) 100nA (ICBO)
标准包装 3,000
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 60V
供应商设备封装 *
功率 - 最大 460mW
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 150 @ 1A, 2V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 3000
系列 NSS60201LT1G
品牌 ON Semiconductor
Pd - Power Dissipation 460 mW
RoHS RoHS Compliant

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